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論文

Magnetic resonant X-ray scattering at the Ga $$K$$ edge in UGa$$_3$$; A Band theoretical approach

薄田 学; 五十嵐 潤一*; 小玉 祥生*

Physical Review B, 69(22), p.224402_1 - 224402_5, 2004/06

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.224402
 被引用回数：20 パーセンタイル：65.71(Materials Science, Multidisciplinary)

UGa$$_3$$のGa-$$K$$吸収端における磁気共鳴X線散乱スペクトルを、局所密度近似によるバンド計算に基づいて理論解析した。その結果、Ga$$4p$$バンドの軌道分極が起源となって磁気共鳴散乱スペクトルが得られることがわかった。そのGa$$4p$$バンドの軌道分極は、隣接するUサイトの$$5f$$バンドの大きな軌道分極によって誘起されたものであり、したがって、Ga-$$K$$吸収端における磁気共鳴散乱スペクトルは隣接Uサイトの軌道分極と密接に関係していると言える。

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